記憶體價格走勢 Q2恐不同調

【新唐人2013年04月07日訊】(中央社記者張建中新竹 7日電)記憶體第1季價格同步攀高,第2季價格走勢恐不同調;DRAM可望續揚,NAND Flash則恐轉趨疲軟。

受惠供應商減產,加上平板電腦及智慧手機市場需求強勁,帶動包括動態隨機存取記憶體(DRAM)與儲存型快閃記憶體(NAND Flash)第1季產品價格連袂走揚。

根據市調機構集邦科技調查,第1季DDR3 2Gb顆粒合約均價自0.83美元,攀高至1.31美元,大漲57.8%;DDR3 4GB模組合約均價也自15.75美元,攀高至23.5美元,上漲49.2%。

NAND Flash方面,第1季32Gb MLC顆粒合約均價自2.47美元,攀高至2.96美元,漲幅高達19.8%;高容量的128Gb MLC與TLC顆粒合約均價則上漲約1%。

隨著記憶體產品價格走揚,包括DRAM製造廠及記憶體模組廠第1季營運同步好轉;其中,華亞科3月順利單月轉虧為盈,稅後淨利達新台幣11.25億元,每股純益約0.21元。

華亞科第1季雖然持續虧損,不過,稅後淨損僅6.13億元,虧損金額較去年第4季大幅減少83.5%,每股虧損約0.11元。

記憶體模組廠威剛第1季合併營收達76.41億元,較去年第4季成長6.14%,也較去年同期成長7.98%。

另一記憶體模組廠創見及記憶體控制晶片廠群聯也同時看好,第1季毛利率應可較去年第4季攀升。

展望未來,儘管第2季將步入個人電腦傳統淡季,不過,威剛看好,第2季DRAM市場景氣仍可望淡季不淡。

集邦科技也預期,在中國大陸白牌平板電腦市場需求持續強勁,加上供給端又沒有顯著增加,未來DRAM價格仍可望持續攀高,旺季時DDR3 4GB模組價格不排除有機會挑戰30美元,即還有3成漲價空間。

法人看好,華亞科第2季營運可望進一步好轉,應可單季轉虧為盈;DRAM製造廠南科營運也將同步好轉。

集邦科技對第2季NAND Flash價格走勢看法則相對保守。

集邦表示,64Gb與128Gb高容量MLC顆粒出海口為代工廠的嵌入式記憶體(eMMC)與固態硬碟(SSD)應用,因大部分智慧手機及平板電腦等新機多於6月上市,第2季恐將難以避免受到淡季效應影響。

集邦預期,第2季高容量NAND Flash合約價走勢恐將轉趨疲軟;不過,低容量NAND Flash因供給持續減少,價格則可望相對平穩。

群聯也預期,NAND Flash價格將於4月中達到高峰,4月底出現修正;但是修正幅度應不會大,修正後產品價格將可趨於平穩。

不過,南韓為全球DRAM與NAND Flash最大供應國,南北韓情勢發展勢將牽動後續記憶體市場供給及產品價格走勢,值得密切追蹤觀察。

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