未来手机将超快! 新3D XPointt芯片速度增千倍

FacebookPrintFont Size繁体

【新唐人2015年07月29日讯】(新唐人记者任浩综合报导)英特尔与美光科技公司7月29日联合发布名为“3D XPoint”的记忆体晶片,读和写的速度比现在的“NAND Flash”快1,000倍,或将对运算装置、服务与应用带来划时代的变革。对普通用户来说,未来电脑、手机速度将超快。

CNET报导,英特尔(Intel)与美光科技公司(Micron Technology)7月29日联合发布一种新型记忆体晶片“3D Xpoint”(发音为3D Cross Point),速度比传统方式快一千倍,耐用度增加一千倍,密度高出10倍,可以用于系统存储器和非易失性存储,也即可以替换现在的SSD和RAM,让个人电脑和智能手机等设备速度飞增。

英特尔与美光表示,3D XPoint技术是迄今储存晶片技术一个重大的突破,是1989年NAND Flash推出以来,开启全新类别的非挥发性记忆体(NVM)。CNET报导评价:“3D XPoint的存储数据的方式,与现在的NAND技术采用了完全不同的方式。”“不再是传统方法的在电容上存储细胞,而是改变存储细胞的属性。”

大纪元引述彭博社报导,3D XPoint新技术完全改变了储存晶片的架构,整个技术以垂直导体连结1280亿个高密度规格记忆体储存单元,并堆叠出来的交叉式阵列结构,改善过去经常发生因储存晶片(或硬碟)导致的延缓情况。

英特尔副总克罗希(Rob Crooke)表示,数十年来,业界都在寻找降低处理器与资料间滞后的方法,容许更快速的分析。“这种新型的非挥发性记忆体达到这个目标,对解决记忆体与储存器间问题,带来突破性的变革”。

不过3D XPoint尽管很快会量产,但其价格定位比NAND Flash高很多,所以短时间内3D XPoint仍无法代替RAM。

预计从2016年开始,使用3D XPoint技术的新产品将提供给消费者。

相关文章
评论